金融界2025年6月28日消息,国家知识产权局信息显示,安徽光智科技有限公司申请一项名为“P型锗单晶生长方法”的专利,公开号CN120210956A,申请日期为2025年03月。
专利摘要显示,一种P型锗单晶生长方法包括步骤:准备多根多晶锗锭并确定掺杂比例;用金刚笔在每根多晶锗锭表面划一道划痕;擦拭划痕;将划痕擦拭后的每根多晶锗锭称重,确定划痕擦拭后的多根多晶锗锭的总重量,基于掺杂比例确定镓铟合金的总重量;用无尘棉签蘸铟镓合金,在划痕内擦拭至无液体状以使铟镓合金涂布在划痕内;将多根多晶锗锭放入坩埚;抽真空并通氮气,保压;经由进气口通入氮气并维持排气口排气,保持在常压;升温化料;化料后,打开埚转,先顺时针转再逆时针转,来回三次;保温;将埚转和晶转调至旋转方向相同且旋转速度相同,进行提拉晶体生长;提拉晶体生长完成后,打开提拉炉,将生长出的晶体剪下。
天眼查资料显示,安徽光智科技有限公司,成立于2018年,位于滁州市,是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽光智科技有限公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目81次,财产线索方面有商标信息22条,专利信息838条,此外企业还拥有行政许可43个。
本文源自:金融界
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